RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
71
En -223% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3296
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link