RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
71
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3064
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link