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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Compara
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
49
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
49
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2451
2534
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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