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OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Compara
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1607
3035
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
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