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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2830
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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