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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2808
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
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