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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
3245
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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