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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
65
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
65
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
1921
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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