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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2658
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
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Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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