RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2823
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link