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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
54
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
54
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2264
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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