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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
3912
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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