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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
35
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2999
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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