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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
3045
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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