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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Puntuación global
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 10.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 7.4
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 10.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 7.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2312 left arrow 2124

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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