RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2356
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link