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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
42
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2701
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
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