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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
35
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2960
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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