RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation M424051 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
97
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation M424051 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
97
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
1270
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link