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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2913
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
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