RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2055
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link