RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2368
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link