RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
39
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
3621
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link