RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2356
3879
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link