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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
60
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
2.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
60
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
2.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2356
1505
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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