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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
41
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2356
3498
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
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