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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
94
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
4.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
94
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
5.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
4.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2356
1334
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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