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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2356
2173
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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