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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2356
2312
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
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