RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2356
1897
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link