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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2356
2889
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
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