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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Compara
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Puntuación global
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
39
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,597.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
33
Velocidad de lectura, GB/s
5,022.9
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,597.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
753
3224
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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