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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Puntuación global
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Puntuación global
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
63
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2978
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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