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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
3825
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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