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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL9-9-9 DDR3 1600 4GB
Compara
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Golden Empire CL9-9-9 DDR3 1600 4GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL9-9-9 DDR3 1600 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
9.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL9-9-9 DDR3 1600 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
38
En -12% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL9-9-9 DDR3 1600 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
38
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
2237
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Golden Empire CL9-9-9 DDR3 1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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