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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Compara
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
2257
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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