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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
3552
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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