RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
38
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
3372
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link