RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Compara
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Puntuación global
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2621
3373
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link