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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Razones a tener en cuenta
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2621
2880
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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