RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Compara
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
79
En -193% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,468.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
79
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,061.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,468.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
422
3158
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link