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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Compara
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Puntuación global
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Puntuación global
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,069.2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
106
En -324% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
106
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,273.7
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,069.2
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
734
3768
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
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Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
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