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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Compara
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Puntuación global
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,069.2
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
106
En -279% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
106
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,273.7
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,069.2
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
734
3519
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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