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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Compara
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,069.2
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
106
En -203% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
106
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,273.7
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,069.2
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
734
3191
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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