RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2001
2938
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link