RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
42
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
22.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2001
3837
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link