RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2001
3201
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link