RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
42
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2001
2240
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link