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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
89
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
89
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
1571
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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