RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2234
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link